IRFR/U024N
700
600
V GS
C is s
C rs s
C oss
=
=
=
=
0V , f = 1M H z
C gs + C gd , C ds S H O R TE D
C gd
C ds + C gd
20
16
I D = 10 A
V D S = 44V
V D S = 28V
500
C iss
400
C oss
12
300
200
C rs s
8
4
100
FO R TE S T C IR C U IT
0
1
10
100
A
0
0
4
8
S E E FIG U R E 13
12 16
20
A
100
10
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
T J = 175°C
T J = 25°C
1000
100
Q G , Total G ate C harge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O P E R A TIO N IN TH IS A R E A LIM ITE D
B Y R D S (on)
10μ s
10
100μ s
T J
1
V G S = 0V
A
1
T C = 25°C
= 175°C
S ingle P ulse
1m s
10m s
A
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
1
10
100
4
V S D , S ource-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
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